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晶体管及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201080065666.5
IPC分类号：H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812
申请日期：
2010-08-26
申请人：
松下电器产业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶体管及其制造方法
申请号	CN201080065666.5	申请日期	2010-08-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102822951A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/338 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/338 带有肖特基栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;1;2查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本国大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下知识产权经营株式会社	当前权利人	松下知识产权经营株式会社
发明人	泷泽俊幸;上田哲三
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种晶体管，其具有形成于基板(300)上的基底层(301)、和形成于基底层(301)上的由氮化物半导体构成的工作层(302)。基底层(301)是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体。基底层(301)具有含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的含过渡金属层。

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