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一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510687944.5
  • IPC分类号:H01L27/24;H01L45/00
  • 申请日期:
    2015-10-21
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法
申请号CN201510687944.5申请日期2015-10-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-13公开/公告号CN105244362A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/24IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州电子科技大学当前权利人杭州电子科技大学
发明人李红霞;席俊华;季振国
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人杜军
摘要
本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层,其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极,通过溅射法制备ZnO薄膜,得到ZnO/ITO/PET;将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内,用掩模法通过电子束蒸发金属上电极,使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极,最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压,以期减小器件的操作电压,降低器件的功耗,从而延长器件的寿命。

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