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一种基于超材料的低频段慢波结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110141421.6
  • IPC分类号:H01J23/24
  • 申请日期:
    2021-01-29
  • 申请人:
    中国人民解放军国防科技大学
著录项信息
专利名称一种基于超材料的低频段慢波结构
申请号CN202110141421.6申请日期2021-01-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-18公开/公告号CN112820608A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J23/24IPC分类号H;0;1;J;2;3;/;2;4查看分类表>
申请人中国人民解放军国防科技大学申请人地址
湖南省长沙市开福区德雅路109号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军国防科技大学当前权利人中国人民解放军国防科技大学
发明人令钧溥;何宇放;贺军涛;孔祥天;皮明瑶
代理机构湖南企企卫知识产权代理有限公司代理人任合明
摘要
本发明涉及高功率微波领域的微波源器件,是一种基于超材料的低频段慢波结构,包括第一超材料谐振单元、第二超材料谐振单元、圆波导;第一超材料谐振单元与第二超材料谐振单元成45度旋转耦合排列,形成慢波结构的单个周期;本发明具有以下技术优势:采用了基于超材料的慢波结构,可以工作在同尺寸空心金属圆波导截止频率以下,具有横向小型化优势;由于超材料亚波长特性,慢波结构周期较短,轴向具有小型化优势;由于超材料慢波结构的局域场增强效应,慢波结构具有更高耦合阻抗,器件具有更高束波互作用效率的优势;超材料慢波结构间强烈的电磁耦合,对相对论电子束调制较强,使得器件具有更短的起振时间。

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