固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201210208338.7
IPC分类号：H01L27/146;H01L31/103;H01L31/18;H04N5/361
申请日期：
2012-06-19
申请人：
索尼公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子设备
申请号	CN201210208338.7	申请日期	2012-06-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-02	公开/公告号	CN102856334A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;4;N;5;/;3;6;1查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼半导体解决方案公司	当前权利人	索尼半导体解决方案公司
发明人	小林実希子;河相勲
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	陈桂香;武玉琴

摘要

本发明涉及固体摄像装置及其制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括光电转换部和形成在半导体基板上的传输栅极电极，所述光电转换部包括在深度方向上从所述半导体基板的表面侧形成的电荷存储区域；由以与所述传输栅极电极部分重叠的方式形成的第二导电型杂质区域形成的传输辅助区域；和暗电流抑制区域，所述暗电流抑制区域是形成在所述传输辅助区域的上层中的第一暗电流抑制区域，并且所述第一暗电流抑制区域被形成为以所述传输栅极电极侧的端部与所述传输辅助区域的端部处于相同位置的方式位置对齐。所述电子设备包括光学透镜、上述固体摄像装置和信号处理电路。根据本发明，能够在抑制暗电流生成的同时提高传输效率，改善了图像质量。

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