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一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710711313.1
  • IPC分类号:H01L29/745;H01L21/332
  • 申请日期:
    2017-08-18
  • 申请人:
    西安理工大学
著录项信息
专利名称一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法
申请号CN201710711313.1申请日期2017-08-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-01-12公开/公告号CN107579115A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/745
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;4;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;2查看分类表>
申请人西安理工大学申请人地址
陕西省西安市金花南路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安理工大学当前权利人西安理工大学
发明人蒲红斌;王曦;刘青;李佳琪;杜利祥;王雅芳
代理机构西安弘理专利事务所代理人王奇
摘要
本发明公开了一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管,包括SiC衬底,在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层、第六外延层,第六外延层分为多个凸台;在第三外延层上部镶嵌有结终端,并且结终端位于第四外延层和第五外延层的末端之外;还包括绝缘介质薄膜,绝缘介质薄膜覆盖在各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层表面以及结终端台面的侧壁与表面;在第六外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极;在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明还公开了该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方法。本发明的结构独特,器件性能优异;本发明的制作方法,便于实施。

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