制造光伏电池的硅衬底的热处理方法及光伏电池制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201080063627.1
IPC分类号：H01L31/18;C01B33/037;C30B33/02;C30B29/06
申请日期：
2010-12-08
申请人：
原子能与替代能源委员会

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著录项信息

专利名称	制造光伏电池的硅衬底的热处理方法及光伏电池制造方法
申请号	CN201080063627.1	申请日期	2010-12-08
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102754224A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;0;1;B;3;3;/;0;3;7;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	原子能与替代能源委员会	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	原子能与替代能源委员会	当前权利人	原子能与替代能源委员会
发明人	塞巴斯蒂安·迪布瓦;尼古拉斯·昂雅尔贝
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	李中奎

摘要

本发明涉及一种用于制造光伏电池的硅衬底的处理方法，所述方法防止所述光伏电池在光照期间产率的下降。本发明还涉及一种由所述处理的衬底制造光伏电池的方法。为了所述目的，本发明涉及一种用于制造光伏电池的硅衬底的处理方法，所述方法包括以下步骤：a）提供由冶金法提纯的负载获得的硅衬底；b）通过将所述硅衬底加热到880℃至930℃的温度持续1小时至4小时的时间，优选地加热到900℃±约10℃的温度持续2小时±约10分钟的时间，退火处理所述硅衬底。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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