具有内连结金属的硅晶片

发明专利无效专利

申请号：
CN200910131140.1
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/485
申请日期：
2009-04-03
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有内连结金属的硅晶片
申请号	CN200910131140.1	申请日期	2009-04-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-06	公开/公告号	CN101853836A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	洪正辉
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	邱军

摘要

本发明关于一种具有内连结金属的硅晶片。该硅晶片包括硅基底、至少一电性元件、绝缘层、金属层、至少一第一内连结金属及至少一第二内连结金属。该电性元件位于该硅基底内，且显露于该硅基底的第一表面。该绝缘层位于该硅基底的第一表面。该金属层位于该绝缘层的表面。该第一内连结金属贯穿该绝缘层，且位于该电性元件上方，该第一内连结金属连接该金属层及该电性元件。该第二内连结金属贯穿该绝缘层，且位于该电性元件外的相对位置，该第二内连结金属连接该金属层。由此，当形成硅穿导孔后，该硅穿导孔可透过该第二内连结金属与该金属层电性连接，以提升良率。

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