非易失性半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200310120108.6
IPC分类号：G11C11/15;G11C16/06
申请日期：
2003-12-05
申请人：
夏普株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储装置
申请号	CN200310120108.6	申请日期	2003-12-05
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-16	公开/公告号	CN1505042
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	森川佳直
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	徐谦;叶恺东

摘要

具有沿行方向及列方向分别排列配置多个非易失性存储单元(1)，为从其中选择规定的存储单元或存储单元组，沿行方向与列方向分别排列配置多根字线(WL)与多根位线(BL)而成的存储单元阵列，存储单元(1)构成为，连接利用电阻的变化来存储信息的可变电阻元件(2)的一端侧和选择晶体管(3)的源极，在存储单元阵列中，选择晶体管(3)的漏极沿列方向与共用位线(BL)连接，可变电阻元件(2)的另一端与源线(SL)连接，选择晶体管(2)的栅极沿行方向与共用字线(WL)连接。根据该构成，可以提供一种能减轻读出及写入操作时对非选择存储单元的可变电阻元件的电压应力，可靠性更高的数据保持特性的非易失性半导体存储装置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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