一种带体接触的半导体器件结构和形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811529312.6
IPC分类号：H01L23/528;H01L21/768;H01L21/683
申请日期：
2018-12-14
申请人：
上海微阱电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种带体接触的半导体器件结构和形成方法
申请号	CN201811529312.6	申请日期	2018-12-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-02	公开/公告号	CN109560065A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人	上海微阱电子科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海微阱电子科技有限公司	当前权利人	上海微阱电子科技有限公司
发明人	顾学强
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	陶金龙;张磊

摘要

本发明公开了一种带体接触的半导体器件结构和形成方法，使用常规半导体衬底，利用背面介质层和前沟槽隔离完全包围NMOS和PMOS器件，实现器件之间完全的介质隔离；通过背面N+注入和P+注入、沟槽接触孔和背面接触孔、背面金属层之间的电学连接，实现NMOS的P阱体区接地，PMOS的N阱体区接电源，减小了体接触的串联电阻，避免了常规绝缘体上器件的浮体效应；器件中产生的热量可通过背面接触孔和背面金属层快速导出，避免了自加热效应，防止了器件性能的劣化；通过版图设计，使前沟槽隔离中的沟槽接触孔和背面接触孔实现电学连接，无需使用额外的有源区来实现接地或接电源，从而节约了版图面积，增加了器件集成的密度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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