提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置

发明专利无效专利

申请号：
CN02155431.5
IPC分类号：--
申请日期：
2002-12-13
申请人：
北京工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置
申请号	CN02155431.5	申请日期	2002-12-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-05-14	公开/公告号	CN1417375
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	陈光华;阴生毅;宋雪梅
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张慧

摘要

提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置属于微波低温等离子体技术领域。包括有微波源、真空密封、薄膜沉积、真空泵系统、磁场产生及气路、气体控制部分，磁场产生是在位于谐振腔壁外放置单并磁场线圈，产生电子回旋共振等离子体所需的轴向磁场位形，本发明的特征在于，是在沉积室内放置了可在样片台(12)上方产生均匀轴向磁场的永磁体单元(13)，该单元不仅体积小，在沉积室有较大的移动空间，并且轴向磁场变化大，使得轴向磁场位形在靠近永磁体时发生显著变化，使得谐振腔及沉积室的轴向磁场位形由单并线圈和永磁体单元组合共同形成和调节。这种磁场位形决定了其在电子回旋共振条件下产生的等离子体可获得高的薄膜沉积速度。

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