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一种干法制备单层二维半导体阵列的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110766557.6
  • IPC分类号:H01L21/02;H01L29/06
  • 申请日期:
    2021-07-07
  • 申请人:
    湖南大学
著录项信息
专利名称一种干法制备单层二维半导体阵列的方法
申请号CN202110766557.6申请日期2021-07-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-10-08公开/公告号CN113488373A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人湖南大学申请人地址
湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号湖南大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南大学当前权利人湖南大学
发明人刘渊;李志伟
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种干法制备大面积单层二维半导体阵列的方法,包括:(1)在基底上制备图案化的金网格薄膜,在金网格薄膜表面旋涂聚合物并烘干制备金网格胶带,将金网格胶带按压到二维半导体块材表面并加热,剥离金网格胶带,获得大面积连续单层二维半导体;(2)将带有大面积连续单层二维半导体的金网格胶带对准功能化的目标基底,按压接触,加热使大面积连续单层二维半导体与目标基底充分接触,然后冷却到室温,剥离金网格胶带,从而释放得到大面积单层二维半导体阵列。本发明可以制备材料表面的洁净度和本征性质不受影响的大面积单层的二维半导体阵列,且方便后续制备场效应管阵列器件和范德华异质结阵列堆叠。

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