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形成导电互连线的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911236925.5
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/02
  • 申请日期:
    2019-12-05
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称形成导电互连线的方法
申请号CN201911236925.5申请日期2019-12-05
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-03-24公开/公告号CN110911353A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人刘冲;严强生;曹秀亮
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹廷廷
摘要
本发明提供了一种形成导电互连线的方法,包括:提供一衬底,所述衬底上形成有导电层;刻蚀所述导电层以得到导电互连线;对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺;执行烘烤工艺以及执行氧化工艺。在本发明中,执行湿法清洗工艺之后,增加烘烤工艺和氧化工艺,其中,所述烘烤工艺可以去除湿法清洗工艺后所述导电互连线表面的水汽,所述氧化工艺可以使得所述导电互连线的表面生长出致密的氧化膜,避免了所述导电互连线与残留的刻蚀副产物发生反应的情况,从而避免了导电互连线的腐蚀缺陷的情况,提高了产品的良率和产品的可靠性。

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