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一种改善钙钛矿薄膜质量的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510184150.7
  • IPC分类号:H01L51/48
  • 申请日期:
    2015-04-19
  • 申请人:
    中国科学院青岛生物能源与过程研究所
著录项信息
专利名称一种改善钙钛矿薄膜质量的方法
申请号CN201510184150.7申请日期2015-04-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-23公开/公告号CN106159097A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/48IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人中国科学院青岛生物能源与过程研究所申请人地址
山东省青岛市崂山区松岭路189号30号信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院青岛生物能源与过程研究所当前权利人中国科学院青岛生物能源与过程研究所
发明人逄淑平;崔光磊;周忠敏;王在伟;徐红霞;刘志宏;常悦
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种改善钙钛矿薄膜的方法。本发明属于薄膜材料的制备方法,其特征为将钙钛矿薄膜经有机胺气体或者有机胺溶液处理一定时间,来改善钙钛矿薄膜的质量,经处理可有效修复钙钛矿薄膜的缺陷,降低表面粗糙度,提高成膜性。这种工艺制备的钙钛矿薄膜厚度均一,粗糙度低,结晶性好,并且这种工艺操作简单,成本低廉,适合应用于大面积制备高效的钙钛矿太阳能电池,发光二极管,光敏元件和激光器件。

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