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常态导通高压开关

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410278452.6
  • IPC分类号:H01L29/808;H01L29/06
  • 申请日期:
    2014-06-20
  • 申请人:
    万国半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称常态导通高压开关
申请号CN201410278452.6申请日期2014-06-20
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-01-21公开/公告号CN104300010A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/808
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人万国半导体股份有限公司申请人地址
加拿大安大略省 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人万国半导体国际有限合伙公司当前权利人万国半导体国际有限合伙公司
发明人马督儿·博德;哈姆扎·依玛兹;高立德;卡西克·帕德马纳班
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙)代理人张静洁
摘要
在一些实施例中,常态导通高压开关器件(“常态导通开关器件”)引入了沟槽栅极端和掩埋掺杂栅极区。在其他实施例中,所形成的表面栅极控制的常态导通高压开关器件带有沟槽结构,并且引入了表面栅极电极控制的表面通道。表面栅极控制的常态导通开关器件还引入了沟槽栅极电极和掩埋掺杂栅极区,以耗尽导电通道,帮助断开常态导通开关器件。因此利用现有的高压MOSFET制备工艺,可以轻松地制备常态导通开关器件,并与MOSFET器件集成。

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