图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201410274924.0
IPC分类号：B81C1/00;B82Y40/00
申请日期：
2014-06-19
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件
申请号	CN201410274924.0	申请日期	2014-06-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-30	公开/公告号	CN105197875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	魏洋;魏浩明;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。本发明还提供一种碳纳米管器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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