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一种半导体光敏感复合材料及其制备方法以及应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110577465.3
IPC分类号：H01L31/0264;H01L31/0296;H01L31/0328;H01L31/0216
申请日期：
2021-05-26
申请人：
海南聚能科技创新研究院有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体光敏感复合材料及其制备方法以及应用
申请号	CN202110577465.3	申请日期	2021-05-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-21	公开/公告号	CN113421933A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0264 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;6;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人	海南聚能科技创新研究院有限公司	申请人地址	海南省海口市国家高新技术产业开发区狮子岭工业园光伏北路18号研发办公楼6层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海南聚能科技创新研究院有限公司	当前权利人	海南聚能科技创新研究院有限公司
发明人	林正玺;林仕伟;艾长智
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	任美玲

摘要

本发明提供了一种半导体复合材料，包括TiN纳米管阵列基底以及复合于所述基底表面的C3N4‑CdS复合材料层。本发明向TiO2上掺杂C3N4和CdS，从而加强其光催化的能力。通过测样发现TiN‑C3N4‑CdS的半导体复合材料,比传统的TiO2材料的光电响应提高了5倍以上。

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