电纺丝方法制备染料敏化纳米晶半导体太阳能电池光阳极

发明专利无效专利

申请号：
CN200410098924.6
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/04;H01G9/20;H01M14/00
申请日期：
2004-12-15
申请人：
中国科学院化学研究所

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专利名称	电纺丝方法制备染料敏化纳米晶半导体太阳能电池光阳极
申请号	CN200410098924.6	申请日期	2004-12-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-21	公开/公告号	CN1790752
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;M;1;4;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院化学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院化学研究所	当前权利人	中国科学院化学研究所
发明人	谭庶欣;赵勇;王立芳;翟锦;江雷
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	李柏

摘要

本发明属于染料敏化太阳能电池材料制备领域，特别涉及一种利用电纺丝制备染料敏化纳米晶半导体太阳能电池光阳极的方法。利用电纺丝的方法，在电场力作用下将含纳米晶半导体的溶液喷射到导电的基底上形成薄膜，此薄膜具有多孔纳米结构，能够产生光电流和光电压。该方法设备简单、廉价实用、容易操作控制，可大面积制备薄膜，可以在多种导电的基底上沉积半导体薄膜，所制备的纳米晶半导体薄膜具有比表面积和孔隙率高、孔径可调、均一性好、结构多样等特点，所制备的染料敏化固态或液态太阳能电池效率与传统方法制备的纳米晶半导体电池效率相当，是一种理想的制备染料敏化太阳能电池光阳极的新方法。

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