沟槽底部进行离子注入调节BV和改善导通电阻的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210513691.6
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/265
申请日期：
2012-12-04
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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专利名称	沟槽底部进行离子注入调节BV和改善导通电阻的方法
申请号	CN201210513691.6	申请日期	2012-12-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-11	公开/公告号	CN103855018A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	隋建国;徐丹;左燕丽
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	高月红

摘要

本发明公开了一种POWERMOS沟槽底部进行离子注入调节崩溃电压和改善导通电阻的方法，包括：1）在沟槽侧壁和底部以及P型EPI表面沉积杂质掺杂的正硅酸乙酯；2）填充光阻；3）光阻回刻，仅留下沟槽底部的光阻，将露出的杂质参杂的正硅酸乙酯刻蚀去除；4）沟槽底部的光阻去除，淀积无掺杂正硅酸乙酯；5）离子高温扩散；6）正硅酸乙酯刻蚀去除，生长栅极氧化层；7）沟槽的多晶硅淀积、离子注入，多晶硅回刻，接触孔绝缘层淀积，接触孔定义，接触孔金属钨填充、反刻，金属淀积，金属垫定义，引出栅极和源极。本发明避免了沟槽侧壁损伤，可减少牺牲氧化层的生长，沟槽宽度不改变，提高集成密度，调节崩溃电压和改善导通电阻。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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