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一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910420676.9
IPC分类号：G02F1/01;G02F1/015
申请日期：
2019-05-20
申请人：
东莞理工学院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器及其制备方法
申请号	CN201910420676.9	申请日期	2019-05-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-17	公开/公告号	CN110244476A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/01 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;1;;;G;0;2;F;1;/;0;1;5查看分类表>
申请人	东莞理工学院	申请人地址	广东省东莞市松山湖东莞理工学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞理工学院	当前权利人	东莞理工学院
发明人	刘竞博;凌东雄;莫晨
代理机构	北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	李冉

摘要

本发明公开了一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，包括硅基底，硅微纳米结构和二维薄膜材料；硅微纳米结构位于硅基底表面；二维薄膜材料设置于硅微纳米结构上；并且公开了其制备方法。本发明在硅基底上设置硅微纳米结构，利用泵浦光在硅微纳米结构中的陷光效应与多次震荡反馈激发效应，有效提高调制器件对泵浦光激励的光电转化效率，在极低的泵浦光功率下实现对太赫兹波的调控。

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