基于局部纳米针孔接触的硅太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110425036.4
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;B82Y40/00
申请日期：
2021-04-20
申请人：
浙江师范大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于局部纳米针孔接触的硅太阳能电池及其制备方法
申请号	CN202110425036.4	申请日期	2021-04-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113130709A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江师范大学	申请人地址	浙江省金华市迎宾大道688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江师范大学	当前权利人	浙江师范大学
发明人	黄仕华;李林华;康桥
代理机构	杭州之江专利事务所（普通合伙）	代理人	朱枫

摘要

本发明公开了一种基于局部纳米针孔接触的硅太阳能电池及其制备方法，设计纳米针孔参数，制备纳米压印模板，用干法刻蚀将纳米针孔图形转移到硅片上，对硅片前表面进行制绒，获得表面金字塔结构；硅片前表面磷扩散，硅片前表面生长氮化硅作为钝化层和抗反层，硅片背表面生长氧化铝/氮化硅叠层薄膜，将模板覆盖在旋涂有压印胶的叠层薄膜上，干法刻蚀氧化铝/氮化硅叠层薄膜得，到纳米针孔图形，背面铝电极以及前面银电极生长。通过上述步骤，可得到基于局部纳米针孔接触的新型硅太阳能电池。本发明的方法及所制备的电池，使得针孔钝化层除了具有优良的钝化效果，同时还具有类似于TOPCon电池通过氧化硅的纳米针孔传导电流的功能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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