一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅工艺系统的控制管路

发明专利有效专利

申请号：
CN200810225009.7
IPC分类号：C01B33/03
申请日期：
2008-10-23
申请人：
北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司

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专利名称	一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅工艺系统的控制管路
申请号	CN200810225009.7	申请日期	2008-10-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-09	公开/公告号	CN101723373A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/03 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕 C01B33/027 使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原〔5〕 C01B33/03 使用卤化硅或卤化硅烷的分解，或其以氢作为惟一的还原剂的还原〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3查看分类表>
申请人	北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司	申请人地址	北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	有研半导体硅材料股份公司	当前权利人	有研半导体硅材料股份公司
发明人	何自强;冯泉林;闫志瑞;张果虎
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	郭佩兰

摘要

一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路，它包括：系统设计了两个输出端口，五个输入端口。其中一个输出端口和外延炉的工艺气体模块连接，向外延炉提供工艺气体，另外一个为输出端口和尾气处理系统连接。系统的五个输入端口中由两个分别连接氯氢硅或四氯化硅液罐上的气相输入接口和液相输出接口，另外三个和鼓泡器连接。本发明优点是：可以满足将TCS液罐内的TCS送入鼓泡器、以TCS液灌作为TCS鼓泡器检验TCS质量、管路吹扫、管路抽真空，液罐接口被断开后有氮气保护等功能。系统安全可靠，不仅可以用来为外延工艺供气，也可用于其它的薄膜工艺中H2携带TCS或SiCl4的供应。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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