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双栅极场效应晶体管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200310121549.8
  • IPC分类号:H01L29/772;H01L21/336
  • 申请日期:
    2003-12-18
  • 申请人:
    国际商业机器公司
著录项信息
专利名称双栅极场效应晶体管及其制造方法
申请号CN200310121549.8申请日期2003-12-18
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2004-07-07公开/公告号CN1510756
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/772
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人国际商业机器公司申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯公司,格芯美国第二有限责任公司当前权利人格芯公司,格芯美国第二有限责任公司
发明人K·K·钱;G·M·科昂;M·莱昂;R·A·罗伊;P·M·所罗门;杨敏
代理机构北京市中咨律师事务所代理人杨晓光;李峥
摘要
一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法,其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施,以减小源/漏区下的寄生电容。首先,将栅极外的硅区转变成氧化物,用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次,除去第一间隔层,用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替,通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容,同时可以保持控制阈值电压。

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