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碳化硅的飞秒激光切割方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910898954.1
  • IPC分类号:B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70
  • 申请日期:
    2019-09-23
  • 申请人:
    北京工业大学
著录项信息
专利名称碳化硅的飞秒激光切割方法
申请号CN201910898954.1申请日期2019-09-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-10公开/公告号CN110549016A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B23K26/38IPC分类号B;2;3;K;2;6;/;3;8;;;B;2;3;K;2;6;/;4;0;2;;;B;2;3;K;2;6;/;7;0查看分类表>
申请人北京工业大学申请人地址
北京市朝阳区平乐园100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京工业大学当前权利人北京工业大学
发明人窦菲;门慧婕;张新平
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司代理人刘萍
摘要
本发明公开碳化硅的飞秒切割方法,利用特定强度的飞秒激光在碳化硅晶片上单次扫描,打断碳化硅分子键,从而实现切割的目的。将SiC晶片在酒精中超声,去除表面灰尘油污,晾干后固定在三维加工台上;飞秒激光,波长为800nm,脉冲宽度130fs‑150fs,重复频率1000Hz,平均功率725mW,单脉冲能量0.725mJ,光斑半径2mm;经过扩束准直镜调节,通过焦距为30mm的透镜,配合三维平台的前后移动,聚焦到加工台上的SiC晶片上;通过控制三维加工台在水平方向上的移动,实现飞秒激光对SiC晶片的精准切割。本发明具有切割精准、节省材料,工艺简单、无污染,可重复性好等优点。

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