加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510004171.2
  • IPC分类号:H01L21/00
  • 申请日期:
    2005-01-13
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法
申请号CN200510004171.2申请日期2005-01-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-07-19公开/公告号CN1805116
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/00IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人易成名;陈辉煌;高瑄苓
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人任永武
摘要
一种在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法。形成一第一硬遮罩于一半导体基底上,执行一热氧化步骤,以形成复数个区域场氧化物于此半导体基底被暴露的部份。移除第一硬遮罩,及形成一第二硬遮罩于此些区域场氧化物及此半导体基底上,执行一等向性蚀刻步骤,以蚀刻被暴露的区域场氧化物及半导体基底。移除第二硬遮罩及位于其下方的区域场氧化物,以形成复数个渠沟于半导体基底中。形成一扩散埋层于半导体基底中环绕此些渠沟。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供