在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510004171.2
IPC分类号：H01L21/00
申请日期：
2005-01-13
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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专利名称	在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法
申请号	CN200510004171.2	申请日期	2005-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-07-19	公开/公告号	CN1805116
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	易成名;陈辉煌;高瑄苓
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	任永武

摘要

一种在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法。形成一第一硬遮罩于一半导体基底上，执行一热氧化步骤，以形成复数个区域场氧化物于此半导体基底被暴露的部份。移除第一硬遮罩，及形成一第二硬遮罩于此些区域场氧化物及此半导体基底上，执行一等向性蚀刻步骤，以蚀刻被暴露的区域场氧化物及半导体基底。移除第二硬遮罩及位于其下方的区域场氧化物，以形成复数个渠沟于半导体基底中。形成一扩散埋层于半导体基底中环绕此些渠沟。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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