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浅沟槽隔离结构的形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210349800.5
IPC分类号：H01L21/324;H01L21/762
申请日期：
2012-09-18
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	浅沟槽隔离结构的形成方法
申请号	CN201210349800.5	申请日期	2012-09-18
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103681311A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/324 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	何有丰;何永根
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；在形成有衬垫层的沟槽内填充满氧化物；对所述氧化物先进行水汽退火，再进行低压退火，再进行干法退火；对所述氧化物进行平坦化处理。本发明的浅沟槽隔离结构的形成方法有源区线宽损失小。

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