基于来自光学检验及光学重检的缺陷属性的用于电子束重检的缺陷取样

发明专利有效专利

申请号：
CN201580026552.2
IPC分类号：G01N23/2251;G01N21/95
申请日期：
2015-05-15
申请人：
科磊股份有限公司

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著录项信息

专利名称	基于来自光学检验及光学重检的缺陷属性的用于电子束重检的缺陷取样
申请号	CN201580026552.2	申请日期	2015-05-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106461581A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N23/2251 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N23/206 （转入G01N 23/205） G01N23/22 通过测量来自材料的二次发射〔1，2，2006.01，2018.01〕 G01N23/221 利用活化分析法〔2〕 G01N23/222 利用中子活化分析〔NAA〕〔3，2006.01〕 G01N23/2251 使用入射电子束，例如扫描电子显微镜〔SEM〕〔2018.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;3;/;2;2;5;1;;;G;0;1;N;2;1;/;9;5查看分类表>
申请人	科磊股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	科磊股份有限公司	当前权利人	科磊股份有限公司
发明人	R·戈莎尹;S·乔希
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	张世俊

摘要

本发明提供用于产生缺陷样本用于电子束重检的各种实施例。一种方法包含逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性。所述方法还包含基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别。所述级别对应于不同缺陷分类。此外，所述方法包含基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于所述电子束重检，借此产生缺陷重检样本用于所述电子束重检。

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