一种碳化硅单晶生长装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023339628.4
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/00
申请日期：
2020-12-30
申请人：
湖南三安半导体有限责任公司

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著录项信息

专利名称	一种碳化硅单晶生长装置
申请号	CN202023339628.4	申请日期	2020-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	湖南三安半导体有限责任公司	申请人地址	湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南三安半导体有限责任公司	当前权利人	湖南三安半导体有限责任公司
发明人	洪棋典;张洁;廖弘基
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	严诚

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括生长坩埚、套筒和坩埚顶盖。套筒设置于生长坩埚内，坩埚顶盖盖设于生长坩埚上，坩埚顶盖设置有碳化硅籽晶部，套筒的一端与生长坩埚的底壁抵持，另一端与碳化硅籽晶部配合，生长坩埚的底壁、套筒和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔，生长空腔用于供碳化硅单晶生长。与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了与生长坩埚的底壁和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔的套筒，所以能够避免气相碳化硅与生长坩埚和坩埚顶盖直接接触，防止杂质混入，保证碳化硅单晶的生长质量，并且能够延长生长坩埚和坩埚顶盖的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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