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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

用于MOSFET的铟-硼双盐注入

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03823214.6
  • IPC分类号:H01L29/10
  • 申请日期:
    2003-09-19
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称用于MOSFET的铟-硼双盐注入
申请号CN03823214.6申请日期2003-09-19
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-10-19公开/公告号CN1685517
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/10
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人C·维伯;G·施勒姆;I·波斯特;M·施泰特尔
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人李玲
摘要
一种方法,包括形成具有沟道区域的晶体管器件;将第一盐注入沟道区域;以及将不同的第二盐注入沟道区域。一种装置,包括形成在基板上的栅极电极;形成在基板中、栅极电极下、以及接点之间的沟道区域;沟道区域中的包括第一种类的第一盐注入物;以及沟道区域中的包括不同的第二种类的第二盐注入物。

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