QLED器件的封装方法及封装结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201710931768.4
IPC分类号：H01L51/52
申请日期：
2017-10-09
申请人：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	QLED器件的封装方法及封装结构
申请号	CN201710931768.4	申请日期	2017-10-09
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-09	公开/公告号	CN107565059A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2查看分类表>
申请人	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司	当前权利人	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
发明人	肖娅丹;矫士博
代理机构	深圳市德力知识产权代理事务所	代理人	林才桂

摘要

本发明提供一种QLED器件的封装方法及封装结构。该QLED器件的封装方法通过在QLED器件上形成多层无机阻挡层与至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层，对QLED器件实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，并且有机缓冲层中还掺杂了导热材料，能够将QLED器件产生的热量及时地通过薄膜封装层传递出来，从而提高薄膜封装层的散热性，进而提高QLED器件的出光效率和使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供