一种薄膜晶体管器件阵列基板结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610082971.0
IPC分类号：H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/133
申请日期：
2006-06-23
申请人：
北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

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专利名称	一种薄膜晶体管器件阵列基板结构及其制造方法
申请号	CN200610082971.0	申请日期	2006-06-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-12-26	公开/公告号	CN101093844
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3查看分类表>
申请人	北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京经济技术开发区西环中路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人	龙春平
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	刘芳

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管器件阵列基板结构，包括：透明绝缘衬底；一组连续的栅线；一组断续的数据线，在与栅线交汇处断开；断续的数据线的两端有暴露源漏金属薄膜的过孔，连接数据线的导电薄膜通过过孔将断续的数据线连接起来；薄膜晶体管完全形成在靠近数据线的栅线上方，其漏电极通过其上方的过孔直接与像素电极相连，源电极的过孔正好位于连接数据线的导电薄膜的下方，连接数据线的导电薄膜通过源电极过孔同时实现源电极和数据线的连接。本发明同时公开了用2次光刻工艺制造该阵列基板的方法。此方法减少掩膜版和光刻工艺次数，简化TFT-LCD制造工艺到2-Mask流程。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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