一种纳米多孔硅的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510922281.0
IPC分类号：C01B33/021;B82Y30/00
申请日期：
2015-12-14
申请人：
东南大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种纳米多孔硅的制备方法
申请号	CN201510922281.0	申请日期	2015-12-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-16	公开/公告号	CN105399100A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/021 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;1;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	王增梅;李亚飞;陆文敏
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春

摘要

本发明提供了一种利用工业硅粉为原料制备纳米多孔硅的方法。通过对硅粉和镁粉进行合金化处理，制备了前驱体Mg2Si/Mg复合材料，然后再进行去合金化处理，最后将所得产物进行酸洗、离心、烘干后即可制备出纳米多孔硅，该方法可以提高工业硅粉的利用率，实现硅粉的资源化利用，提高硅粉的附加值，具有原料来源广泛，成本低廉，工艺操作简单的特点，同时所制备的纳米多孔硅具有孔径分布均匀和比表面积大等特点，具有广泛的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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