对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910200020.2
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2009-12-01
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法
申请号	CN200910200020.2	申请日期	2009-12-01
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-01	公开/公告号	CN102081138A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	张晓东;郑勇;刘晓虎;赵步青
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

本发明公开了一种对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法，该方法包括：将测试探针接触晶圆上的半导体器件的压焊建立电学连接并进行初始测试；按照设置的老化测试规则通过测试探针对晶圆上的各个半导体器件施加电压应力，分别进行监控测试；判断测得的晶圆上的各个半导体器件的相关的电学参数是否符合所设置的对应老化判断标准，确定符合的晶圆为好且老化等级为判断标准；确定不符合的晶圆失效。本发明提供的方法降低了半导体器件的测试成本及提高半导体器件的测试效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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