聚吡咯/石墨烯修饰的双模神经微电极阵列芯片及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310153416.2
IPC分类号：C12M1/34
申请日期：
2013-04-27
申请人：
中国科学院电子学研究所

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专利名称	聚吡咯/石墨烯修饰的双模神经微电极阵列芯片及制备方法
申请号	CN201310153416.2	申请日期	2013-04-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-12	公开/公告号	CN103627631A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C12M1/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C12 生物化学；啤酒；烈性酒；果汁酒；醋；微生物学；酶学；突变或遗传工程 C12M 酶学或微生物学装置（粪肥的发酵装置入A01C 3/02；人或动物的活体部分的保存入A01N 1/02；啤酒酿造装置入C12C；果汁酒的发酵装置入C12G；制醋装置入C12J 1/10）〔3〕 C12M1/00 酶学或微生物学装置〔3〕 C12M1/34 用条件测量或信号传感方法测量或检验，如菌落计数器〔3〕	IPC分类号	C;1;2;M;1;/;3;4查看分类表>
申请人	中国科学院电子学研究所	申请人地址	北京市海淀区北四环西路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电子学研究所	当前权利人	中国科学院电子学研究所
发明人	王力;蔡新霞;刘春秀;蒋庭君;宋轶琳;石文韬;蔚文婧
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	宋焰琴

摘要

本发明公开了一种聚吡咯/石墨烯复合材料修饰的双模神经检测微电极阵列芯片及其制备方法，所述芯片包括：绝缘基底、多个焊盘、多条引线、四组微电极阵列，多个焊盘等间距分布在绝缘基底周边；绝缘基底表面中心位置处对称分布有四组微电极阵列，微电极阵列中的电极分别通过末端与焊盘连接的引线延伸至绝缘基底的四周边缘；微电极阵列的工作电极表面修饰有复合敏感膜材料。本发明还提出一种制备所述芯片的方法。本发明芯片克服了以往神经微电极阻抗大，离体生物组织与电极不易接触的缺点，具有阻抗低，生物相容性好的优点，以及石墨烯的存在增加了电极表面的粗糙度和不均匀性。本发明芯片功能集成化有利于离体脑片细胞和培养的神经细胞的发放检测。

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