发光设备及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02149561.0
IPC分类号：H01L51/50;H05B33/26;H05B33/10
申请日期：
2002-09-28
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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著录项信息

专利名称	发光设备及其制造方法
申请号	CN02149561.0	申请日期	2002-09-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-09	公开/公告号	CN1409581
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;5;B;3;3;/;2;6;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	濑尾哲史;中村康男
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	栾本生;梁永

摘要

在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4，5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此，能够将阳极的空穴注射提高更多。而且，对于导电性能来说，该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此，它能够实现用作电线的功能，与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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