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使用沟槽栅低压和LDMOS高压MOSFET的单管芯输出功率级、结构和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200911000194.0
IPC分类号：H01L21/784;H01L27/088;H02M3/00
申请日期：
2009-12-22
申请人：
英特赛尔美国股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使用沟槽栅低压和LDMOS高压MOSFET的单管芯输出功率级、结构和方法
申请号	CN200911000194.0	申请日期	2009-12-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-08-18	公开/公告号	CN101807543A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/784 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/782 制造多个器件，每一个由单个电路元件组成（H01L 21/82优先）〔6〕 H01L21/784 衬底为半导体的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;8;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;2;M;3;/;0;0查看分类表>
申请人	英特赛尔美国股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特赛尔美国股份有限公司	当前权利人	英特赛尔美国股份有限公司
发明人	F·希伯特
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李玲

摘要

电压转换器包括形成在单个管芯(“功率管芯”)上的具有高压器件和的压器件的输出电路。高压器件包括横向扩散金属氧化半导体(LDMOS)，低压器件包括槽栅垂直扩散金属氧化半导体(VDMOS)。电压转换器还包括在不同管芯上的控制电路，其可以电耦合到输出电路且和输出电路一起封装。

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