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一种遮挡装置以及刻蚀机台

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720892570.5
  • IPC分类号:H01L21/67
  • 申请日期:
    2017-07-21
  • 申请人:
    武汉新芯集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称一种遮挡装置以及刻蚀机台
申请号CN201720892570.5申请日期2017-07-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/67IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉新芯集成电路制造有限公司当前权利人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人陈娟;孟凡顺
代理机构上海申新律师事务所代理人俞涤炯
摘要
本实用新型提供了一种遮挡装置以及刻蚀机台,应用于刻蚀机台的反应腔体中,静电吸附盘上用以放置待刻蚀的晶圆,其中,包括:一对伸缩结构,每个伸缩结构包括一固定端以及一伸缩端,固定端固定设置于腔体的侧壁;一对承托结构,分别与伸缩结构的伸缩端连接;当伸缩结构位于一初始位置时,一对承托结构分别位于静电吸附盘的两侧;当伸缩结构由初始位置伸出至一预定位置时,一对承托结构用以配合形成一承托位置,承托位置位于静电吸附盘的正上方;遮挡结构,用以通过一外部的传送结构将遮挡结构传送至反应腔体内,并放置于承托结构上。其可以可在同一机台上实现对晶圆的整体刻蚀以及对刻蚀后的晶圆的边缘残留的聚合物进行清洗的操作,提高了刻蚀效率。

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