制造存储器单元法、制造存储器单元装置法和存储器单元

发明专利有效专利

申请号：
CN201310463189.3
IPC分类号：H01L27/115;H01L29/788
申请日期：
2013-10-08
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造存储器单元法、制造存储器单元装置法和存储器单元
申请号	CN201310463189.3	申请日期	2013-10-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-28	公开/公告号	CN103824860A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;8查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	C.布克塔尔;J.鲍尔;岑柏湛;M.施蒂夫廷格
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张涛;马永利

摘要

本发明涉及制造存储器单元的方法、制造存储器单元装置的方法以及存储器单元。一种用于制造根据各种实施例的存储器单元的方法可以包括：在衬底上形成至少一个电荷储存存储器单元结构，电荷储存存储器单元结构具有第一侧墙和与第一侧墙相对的第二侧墙；在衬底和电荷储存存储器单元结构上形成导电层；对导电层进行图案化以在电荷储存存储器单元结构的第一侧墙处形成间隔壁并且在第二侧墙处形成阻挡结构；注入第一掺杂物原子以在靠近间隔壁的衬底中形成第一掺杂区，其中第一掺杂物原子被阻挡结构阻挡；在注入第一掺杂物原子之后去除阻挡结构；注入第二掺杂物原子以在靠近电荷储存存储器单元结构的第二侧墙的衬底中形成第二掺杂区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供