稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统

发明专利无效专利

申请号：
CN99811066.3
IPC分类号：C30B15/22;C30B15/26;C30B15/00;C30B29/06;C30B15/30
申请日期：
1999-07-28
申请人：
埃伯乐太阳能公司

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著录项信息

专利名称	稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统
申请号	CN99811066.3	申请日期	1999-07-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-10-17	公开/公告号	CN1318113
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/20 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕 C30B15/22 被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;2;2;;;C;3;0;B;1;5;/;2;6;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;3;0查看分类表>
申请人	埃伯乐太阳能公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社荏原制作所	当前权利人	株式会社荏原制作所
发明人	丹尼尔·L·迈耶;格雷戈里·T·诺伊格鲍尔;爱德华·V·马库加;罗伯特·P·斯托尔;菲利普·J·辛普森;贾拉勒·萨拉米
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王彦斌

摘要

说明了用于树枝状网膜生长的方法。此方法包括装载熔融物；从熔融物生长树枝状网膜晶体；在生长树枝状网膜晶体的步骤期间，补充熔融物；和在生长树枝状网膜晶体的步骤期间，对熔融物施加磁场。还说明了稳定树枝状网膜生长用的装置。该装置包括坩埚，此坩埚包含用于接收晶片以便于熔融物补充的供应室和用于保存树枝状网膜生长用的熔融物的生长室。该装置还包括磁场发生器，它设计成在树枝状网膜生长期间提供磁场。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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