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一种具有高能量空穴的发光二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720175505.0
  • IPC分类号:H01L33/12;H01L33/06
  • 申请日期:
    2017-02-27
  • 申请人:
    安徽三安光电有限公司
著录项信息
专利名称一种具有高能量空穴的发光二极管
申请号CN201720175505.0申请日期2017-02-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/12IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人安徽三安光电有限公司申请人地址
安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽三安光电有限公司当前权利人安徽三安光电有限公司
发明人宋长伟;程志青;徐志波;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种具有高能量空穴的发光二极管,包括衬底、位于所述衬底上的P型层、位于所述P型层上的多量子阱层,以及位于所述多量子阱层上的N型层,其特征在于:所述P型层为AlN层与AlGaN层的交替层叠结构。采用PVD在衬底上生长AlN层提高了底层的晶体质量,然后在AlN层上设置一P型杂质聚集层,P型杂质的迁移作用,使得AlN层为非故意掺杂结构,然后再设置一MOCVD法制备的P型掺杂AlGaN层,由此组成的P型层具有不仅具有较高的晶体质量而且其中的空穴能量较高,提高发光二极管的有效复合辐射效率。

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