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实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510309008.0
  • IPC分类号:H01L27/14;H01L27/04;H01L21/60
  • 申请日期:
    2015-06-07
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法
申请号CN201510309008.0申请日期2015-06-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-09公开/公告号CN104900660A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/14IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人黄锦才;刘玮荪
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅
摘要
本发明提供了一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法,包括:在晶圆内形成硅基器件和光电二极管,并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案;在光子器件晶圆中形成光子器件,在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案,在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层;使得晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理,从而形成铝锗共晶键合;对晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄,以露出光电二极管,而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化,以露出光子器件;将减薄和图案化之后将晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间。

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