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改善高频电极的连接方法的晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201080001676.2
  • IPC分类号:H01L21/02;H01L21/683
  • 申请日期:
    2010-03-17
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社
著录项信息
专利名称改善高频电极的连接方法的晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置
申请号CN201080001676.2申请日期2010-03-17
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-05-04公开/公告号CN102047383A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社当前权利人住友电气工业株式会社
发明人三云晃;西本悦弘;木村功一;仲田博彦
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人王海川;穆德骏
摘要
本发明提供一种晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置,所述晶片保持体具有不产生异常过热或微粒的可靠性高的高频电极电路。本发明提供晶片保持体(10),设置于腔室内,具有埋设有高频电极电路(5)的晶片保持部(1)、从晶片保持部(1)的晶片载置面(1a)的相反侧的面(1b)支撑晶片保持部(1)的支撑构件(2)、相对于该支撑构件(2)设置于晶片保持部(1)的相反侧的接地部件(3)以及插入支撑构件(2)的内部且将高频电极电路(5)和接地部件(3)电连接的导电性连接部件(7),其中,该导电性连接部件(7)具有沿垂直方向变形的能力,并且,导电性连接部件(7)中的形成主要电流通路的连接部分以面接触的方式固定。

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