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一种制备高纯纳米钼粉的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810826127.7
  • IPC分类号:B22F9/22;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2018-07-25
  • 申请人:
    北京科技大学
著录项信息
专利名称一种制备高纯纳米钼粉的方法
申请号CN201810826127.7申请日期2018-07-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-09-13公开/公告号CN110227826A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F9/22IPC分类号B;2;2;F;9;/;2;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人北京科技大学申请人地址
北京市海淀区学院路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京科技大学当前权利人北京科技大学
发明人张国华;孙国栋
代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司代理人张仲波
摘要
一种制备高纯纳米钼粉的方法。以三氧化钼或钼酸铵为钼源,将三氧化钼和碳黑按摩尔比1:0.5‑1:2.0配料混匀,制备出碳含量极低的含一定量纳米钼核心的二氧化钼,然后用氢气将含有纳米钼核心的二氧化钼进行还原,即可得到碳含量极低的高纯纳米钼粉。本发明解决了传统使用氢气还原三氧化钼制备二氧化钼和钼粉的过程中难以制备出纳米钼粉的问题。在本发明中,使用较细的炭黑为还原剂,在二氧化钼中生成一定量的分散的纳米钼核心,这些分散的细小的纳米钼核心可以辅助氢气还原二氧化钼生成钼纳米颗粒。本发明制备出的纳米钼粉平均粒度在40‑200nm,碳含量可小于0.01%。本发明原料成本低,产品纯度高,粒度小,工艺简单,生产效率高,适合大规模工业化生产高纯纳米钼粉。

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