太阳能级晶体硅P型母合金的生产工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200910101742.2
IPC分类号：C30B15/04;C30B29/06
申请日期：
2009-08-11
申请人：
王正园

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专利名称	太阳能级晶体硅P型母合金的生产工艺
申请号	CN200910101742.2	申请日期	2009-08-11
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-03-30	公开/公告号	CN101994152A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/02 向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕 C30B15/04 添加掺杂材料，例如用于n-p结的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	王正园	申请人地址	浙江省嘉善县解放东路367号楼2单元203室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	王正园	当前权利人	王正园
发明人	石坚
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种太阳能级晶体硅P型母合金的生产工艺，该工艺是将掺硼低阻硅料进行重量和电阻率的测量，计算低阻硅料的掺杂剂浓度。根据公式(2)计算出等效目标电阻率的重量；本发明也可以根据所述公式计算并制作而成的附表1进行换算，使不同电阻率的母合金通过重量的调整，具有某一电阻率母合金的等效重量；本发明与现有技术相比，具有工艺方法简单，电阻率控制准确，能充分利用低阻掺硼硅料，降低生产成本的特点。

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