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一种TD-LTE基站PDSCH信道电磁辐射预测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810071036.7
  • IPC分类号:H04B17/345;H04B17/373;H04B17/391
  • 申请日期:
    2018-01-25
  • 申请人:
    湘潭大学
著录项信息
专利名称一种TD-LTE基站PDSCH信道电磁辐射预测方法
申请号CN201810071036.7申请日期2018-01-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-07-17公开/公告号CN108289001A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04B17/345IPC分类号H;0;4;B;1;7;/;3;4;5;;;H;0;4;B;1;7;/;3;7;3;;;H;0;4;B;1;7;/;3;9;1查看分类表>
申请人湘潭大学申请人地址
湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学信息工程学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湘潭大学当前权利人湘潭大学
发明人杨万春;罗昱;张园;彭艳芬
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种TD‑LTE基站PDSCH信道电磁辐射预测方法,包括基于爱尔兰分布建立PDSCH随机服务模型,由PDSCH信道占用子帧的概率密度函数计算出PDSCH信道平均占用子帧数,结合优化的频谱分析仪参数设置测量的TD‑LTE基站最大电磁辐射强度,最后计算TD‑LTE基站PDSCH信道的电磁辐射的预测结果。本发明基于爱尔兰分布建立PDSCH随机服务模型来确定PDSCH信道的传输情况,提出了一种准确预测TD‑LTE基站PDSCH信道电磁辐射的方法。

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