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一种超疏水金电极的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910431737.1
  • IPC分类号:G01N27/30;G01N23/2251;G01N13/02;G01N13/00
  • 申请日期:
    2019-05-23
  • 申请人:
    桂林理工大学
著录项信息
专利名称一种超疏水金电极的制备方法
申请号CN201910431737.1申请日期2019-05-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-09-13公开/公告号CN110231378A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/30IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;3;0;;;G;0;1;N;2;3;/;2;2;5;1;;;G;0;1;N;1;3;/;0;2;;;G;0;1;N;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人桂林理工大学申请人地址
广西壮族自治区桂林市建干路12号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桂林理工大学当前权利人桂林理工大学
发明人潘宏程;李向葵;陈雯
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种超疏水金电极的制备方法。其方法步骤:先利用循环伏安法将PbS/PbSe复合物沉积在ITO电极上,然后将电极置于HAuCl4的溶液中,在40℃恒温水浴锅中反应3h后即可得到表面具有超疏水特性的金电极。本发明方法制备过程简单,效率高,成本低,可以实现批量化生产,且所制得的金电极中的金具有纳米尺寸,在生物分析领域有广阔的应用前景。

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