用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310498459.4
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2013-10-21
申请人：
天津大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法
申请号	CN201310498459.4	申请日期	2013-10-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-12	公开/公告号	CN103630572A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	胡明;马双云;崔珍珍;李明达;曾鹏;闫文君
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法，首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；再以金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜；最后，在水平管式炉中，以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，600～750℃条件下，制得多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的气敏材料。本发明降低了制备氧化钨纳米线生长温度，显著提高了复合结构气敏材料的比表面积，在150℃的条件下对2ppmNO2的灵敏度为4.76，具有制备工艺简单，易于控制，成本低廉以及对NO2高灵敏度探测等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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