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Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780045961.2
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/205
  • 申请日期:
    2007-12-19
  • 申请人:
    昭和电工株式会社
著录项信息
专利名称Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯
申请号CN200780045961.2申请日期2007-12-19
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-10-14公开/公告号CN101558502
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人昭和电工株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昭和电工株式会社当前权利人昭和电工株式会社
发明人篠原裕直;酒井浩光
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;田欣
摘要
本发明的目的是提供一种可获得能够很好地用于内部量子效率和光取出效率优异的发光元件的形成的结晶性优异的III族氮化物半导体层的制造方法。根据本发明,可提供一种III族氮化物半导体层(103)的制造方法,该制造方法在基板(101)上形成单晶的III族氮化物半导体层(103),其中,该制造方法具有:通过在基板(101)的(0001)C面上形成由与所述C面不平行的表面(12c)构成的多个凸部(12),从而在所述基板(101)形成由平面(11)和所述凸部(12)构成的上面(10)的基板加工工序,所述平面由所述C面构成;和在所述上面(10)上外延生长所述III族氮化物半导体层(103),由所述III族氮化物半导体层(103)掩埋所述凸部(12)的外延工序。

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