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功率半导体二极管、IGBT及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210395526.5
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/739;H01L21/329
  • 申请日期:
    2012-10-17
  • 申请人:
    英飞凌科技奥地利有限公司
著录项信息
专利名称功率半导体二极管、IGBT及其制造方法
申请号CN201210395526.5申请日期2012-10-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-17公开/公告号CN103050547A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人英飞凌科技奥地利有限公司申请人地址
奥地利菲拉赫 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技奥地利有限公司当前权利人英飞凌科技奥地利有限公司
发明人霍尔格·豪斯肯;安东·毛德;沃尔夫冈·勒斯纳;汉斯-约阿希姆·舒尔茨
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;吴孟秋
摘要
提供了一种功率半导体二极管、IGBT及其制造方法。功率半导体二极管包括半导体衬底,该衬底具有第一导电型的第一发射极区域、第二导电型的第二发射极区域以及设置在第一发射极区域和第二发射极区域之间的第一导电型的漂移区。漂移区与第二发射极区域形成pn结。第一发射极金属化与第一发射极区域接触。第一发射极区域包括第一导电型的第一掺杂区域以及第一导电型的第二掺杂区域。第一掺杂区域与第一发射极金属化形成欧姆接触,并且第二掺杂区域与第一发射极金属化形成非欧姆接触。第二发射极金属化与第二发射极区域接触。

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