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一种双层五边形电极的薄膜体声波谐振器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010368420.0
  • IPC分类号:H03H9/13;H03H3/02;H03H9/02
  • 申请日期:
    2020-04-30
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称一种双层五边形电极的薄膜体声波谐振器
申请号CN202010368420.0申请日期2020-04-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-07-10公开/公告号CN111404508A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03H9/13IPC分类号H;0;3;H;9;/;1;3;;;H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;0;2查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人李国强;刘鑫尧;衣新燕;张铁林;赵利帅;刘红斌
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司代理人何淑珍;冯振宁
摘要
本发明公开了一种双层五边形电极的薄膜体声波谐振器。所述薄膜体声波谐振器从上至下包括顶电极、压电层、底电极构成的压电振荡堆结构,以及支撑层(连接层)和衬底。本发明所述的顶电极由内外两层五边形构成,由同一圆周的内外界五边形经一定角度旋转获得。本发明所述的顶电极外层厚度高于内层五边形厚度,在边缘处形成台阶边框,其余位置均为平面,且内外五边形任意两边均不平行,从而形成非对称图形,使得横向寄生的声波产生衰减和分散。本发明通过设计电极层的形状尺寸,在不增加工艺步骤的前提上抑制谐振器的横向剪切波,提高谐振器的Q值,优化薄膜体声波谐振器谐振特性。

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