用于射频微波功放器件的封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821249020.2
IPC分类号：H01L23/14;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16
申请日期：
2018-08-03
申请人：
苏州本然微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	用于射频微波功放器件的封装结构
申请号	CN201821249020.2	申请日期	2018-08-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/14 按其材料或它的电性能区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	苏州本然微电子有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-B403单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州本然微电子有限公司	当前权利人	苏州本然微电子有限公司
发明人	张达泉;杨荣;张昊;孙丞
代理机构	北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄冠华

摘要

本实用新型涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本实用新型通过采用高导热金属材料作为金属基板，提升射频功放芯片的散热效果；射频功放芯片与无源器件分别放置在金属基板和电路基板上，金属基板和电路基板拼接组合，可更为便捷的使用市面上Q值较高的电阻、电感、电容或微带线，降低研发周期，保证了较低的成本，保证产品性能和可靠性；同时可通过对电阻、电容、电感和微带线等主要元器件进行产品参数调整达到设计需求，灵活度高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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